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IXTU 01N100
IXTY 01N100
160
140
Fig. 7. Input Adm ittance
350
300
Fig. 8. Transconductance
120
250
T J = -40 ° C
100
80
T J = 125 ° C
25 ° C
200
150
25 ° C
125 ° C
60
100
40
20
0
50
0
3.6
4
4.4
4.8
5.2
5.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
400
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - MilliAmperes
Fig. 10. Gate Charge
350
300
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 500V
I D = 50mA
I G = 1mA
100
50
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
1
2
3
4
5
6
7
100
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
10.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maxim um Transient Therm al
Resistance
10
1
C oss
C rss
1.0
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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